技術(shù)編號(hào)：2807988
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體學(xué)中的微細(xì)加工領(lǐng)域，特別是一種基于x射線曝光技術(shù)制作透光納米壓印模板的方法。 背景技術(shù)電子束光刻是制作納米壓印模板的常用方法，具有分辨率高，特 征尺寸小的特點(diǎn)。但是電子束光刻需要在導(dǎo)電的襯底上進(jìn)行，通常的 壓印模板是使用硅作為襯底材料。由于硅襯底不透明，所以采用硅襯 底的納米壓印工藝通常無法精確對(duì)位，無法進(jìn)行紫外固化納米壓印。 同時(shí)采用石英襯底進(jìn)行電子束光刻需要增加導(dǎo)電層，工藝復(fù)雜，分辨率不高。發(fā)明內(nèi)容(一) 要解決的技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。