技術編號：2817767
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般性涉及光掩模及其制造方法，更具體涉及極端遠紫外 (Extreme Ultraviolet, EUV)掩^^及其制造方法。背景技術隨著半導體器件集成度提高和設計規(guī)則降低，器件所需的圖案尺寸快 速減小。因此，隨著光刻設備所使用的光的波長變得越來越短，已經開發(fā) 了克服用于形成圖案的光刻工藝中極限分辨率的技術。例如，已經提出浸 沒式光刻、雙圖案化技術(DPT)和極端遠紫外(EUV)光刻。EUV光刻工藝4吏用波長為13.4 nm的短于KrF或ArF光的光，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。