技術(shù)編號：2842593
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及等離子體浸沒離子注入，尤其涉及一種在等離子體浸沒離 子注入中對不同質(zhì)量離子分離的裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中，主流的雜質(zhì)摻雜技術(shù)是傳統(tǒng)的束線離子注入技術(shù)，此方 法是由離子源產(chǎn)生等離子體(由混合離子、電子、中性粒子組成)，等離子經(jīng)過分析磁體 等質(zhì)能分離系統(tǒng)對等離子體進行質(zhì)量和能量的分離，得到單一質(zhì)量單一能量的離子，接 著通過加速管對分離后的離子進行加速，加速后的離子高速注入到基片中(如硅片)。關(guān) 于注入基片的注入情況需借助掃描系統(tǒng)進行掃描。可見...
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