技術編號：2905996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及等離子平板制造工藝領域，更具體地說，涉及一種濺射陽極罩及濺射直O(jiān)背景技術等離子平板IT0、BUS電極制作時所采用的工藝為濺鍍工藝，所述濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。該工藝的具體過程為在真空狀態(tài)充入惰性氣體，并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，由于輝光放電(glow discharge) 產生的電子激發(fā)惰性氣體，產生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，并沉積在塑膠基材上。在等離子平板IT0、BUS電極制作過程...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。