技術(shù)編號：2939061
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及在用于半導(dǎo)體集成電路等的曝光的電子束曝光裝置、離子束曝光裝置等的帶電粒子束曝光裝置中可以應(yīng)用的技術(shù)，特別是，涉及在用多條帶電粒子束進(jìn)行圖案描繪的帶電粒子束曝光裝置中可以應(yīng)用的偏轉(zhuǎn)技術(shù)和應(yīng)用該偏轉(zhuǎn)技術(shù)的帶電粒子束曝光裝置等。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中，電子束曝光技術(shù)將可以進(jìn)行0.1μm以下的微細(xì)圖案曝光的刻蝕作為有力的技術(shù)正在引起人們的注意。雖然在該刻蝕中存在幾種方式，但是在各種方式中都存在著要解決的課題。例如，具有所謂的能夠一筆描繪圖案的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。