技術編號：2944751
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例大致關于處理半導體基板的裝置與方法。更具體地，本發(fā)明的實施例關于用以處理靠近基板邊緣區(qū)域的裝置與方法。背景技術在化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)或等離子體輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor exposition，CVD)期間，會希望在整個基板上具有均勻的厚度輪廓，且在基板邊緣區(qū)域附近無沉積產(chǎn)生。在靠近邊緣處不希望沉積產(chǎn)生的區(qū)域稱為“邊緣排除區(qū)域(edge ...
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