技術(shù)編號(hào)：3254149
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)用于電子器件中的硅晶片典型地由單晶硅錠制備，首先使用金剛石鋸將單晶硅錠切成薄晶片，經(jīng)磨平(lap)以改進(jìn)平整度，并經(jīng)蝕刻以除去由磨平造成的表面下?lián)p傷。然后，典型地以兩步法拋光硅晶片，以在該晶片容許用于電子器件中之前除去由蝕刻造成的納米構(gòu)形(nanotopography)并達(dá)到所需的厚度。在第一拋光步驟中，需要高移除速率，且理想地，該納米構(gòu)形不會(huì)在該步驟期間劣化。納米構(gòu)形為量度區(qū)域的前表面拓?fù)涞膮?shù)，且定義為空間波長在約O. 2至20mm之內(nèi)的表面偏...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。