技術(shù)編號(hào)：3254553
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)在濺射時(shí)，首先在濺射室中產(chǎn)生真空并且然后產(chǎn)生具有所定義的壓力的濺射氣體的氣氛。在安裝在濺射頭上的濺射靶(其通常被保持在負(fù)電勢(shì)上)的附近，點(diǎn)燃濺射氣體的氣體放電。在此，從濺射氣體的電中性的原子或分子中產(chǎn)生由被沖正電的離子和自由電子構(gòu)成的濺射等離子體。被充正電的離子通過靶的負(fù)電勢(shì)在靶的表面上被加速，并且在那里通過脈沖電弧轟擊出材料，所述材料通過反沖部分地飛向要鍍層的襯底的方向并且沉積在那里。同時(shí)，所述被充正點(diǎn)的離子通過該轟擊從靶中釋放電子，所述電子通過...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。