技術(shù)編號(hào)：3256885
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種硅化鈦的涂層裝置。目前，在非鐵基表面硅化鈦的涂層是采用硅烷和四氯化鈦?zhàn)鳛闅庠吹幕瘜W(xué)氣相沉積(CVD)方法，化學(xué)氣相沉積薄膜生長(zhǎng)通常都是在高頻加熱爐、離子束加熱爐及光加熱爐中進(jìn)行。高頻加熱爐要用石墨基座作為發(fā)熱體，離子束加熱爐和光加熱爐可以直接對(duì)基體加熱。上述三種加熱方法很難在非鐵基表面進(jìn)行硅化鈦涂層，同時(shí)它們引起的氣體氣相分解要破壞硅化鈦涂層的質(zhì)量，再則其加熱功率也難達(dá)到要求。本實(shí)用新型的目的是提供一種容易在非鐵基表面進(jìn)行硅化鈦涂層的抑制...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。