技術(shù)編號：3260742
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池領(lǐng)域，特別是指。背景技術(shù)傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池，其采用的硅片都是采用氣相法制造的，其純度較高，但是制造成本也較高，直接導(dǎo)致其制造的晶體硅太陽能電池的價格較高，以致嚴(yán)重影響晶體硅太陽能電池的推廣應(yīng)用 由于冶金法提純硅技術(shù)的大力發(fā)展，4N 5. 5N純度的硅材料已可以大力生產(chǎn)，而且其成本較低，但是用4N-5. 5N的硅材料直接制備太陽能電池，由于純度不高，雜質(zhì)成分復(fù)雜，故在生產(chǎn)中遇到的問題很多，最主要的問題是漏電流過大，引起熱斑效應(yīng)等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。