技術(shù)編號：3279377
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種以Ag2S為摻雜源的Ag-S共摻雜生長P型ZnO薄膜及其制備方法。背景技術(shù)I1-VI族的ZnO作為一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有較寬的禁帶寬度Γ3.37eV)及較大的激子束縛能reOmeV)，并且加之無毒廉價(jià)等特點(diǎn)，使得ZnO在光電、傳感等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是作為紫外光電器件的首選材料被寄予厚望。然而，由于ZnO受主能級很深，且自身存在許多本征施主缺陷，如鋅間隙Zni和氧空位\等，造成強(qiáng)烈的施主補(bǔ)償作用，因而天然呈現(xiàn)η...
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