技術(shù)編號：3287664
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。使氮化膜的折射率及/或沉積速度的分布均勻性穩(wěn)定在預(yù)定數(shù)值范圍內(nèi)，同時提高氮化膜的應(yīng)力的控制性。一種氮化膜的制造裝置(100)，其為在反應(yīng)室(30)內(nèi)所配置的基板(20)上使用等離子體CVD法形成氮化膜(70(70a))的氮化膜的制造裝置(100)。具體而言，此氮化膜的制造裝置(100)具備控制部(39)，此控制部(39)基于用以形成氮化膜(70(70a))而使用獨(dú)立地施加相對較高頻率的第一高頻電力及/或相對較低頻率的第二高頻電力而得到穩(wěn)定在預(yù)定數(shù)值范圍內(nèi)的...
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