技術(shù)編號：3292853
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種使用射頻加熱的桶式CVD設(shè)備反應(yīng)室，包括具有雙層管狀結(jié)構(gòu)的水冷壁，該水冷壁的內(nèi)管腔中設(shè)有反應(yīng)室，而內(nèi)、外管之間至少與該反應(yīng)室相應(yīng)的區(qū)域內(nèi)分布有冷卻介質(zhì)容置腔；設(shè)于該反應(yīng)室內(nèi)的加熱基座，且該加熱基座上分布有若干凹槽；分布于該加熱基座與水冷壁內(nèi)管之間的整流罩；至少繞設(shè)在該水冷壁外壁上與該反應(yīng)室相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的感應(yīng)線圈。本發(fā)明通過采用桶式結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室，可以滿足多片晶片同時生長，而通過采用射頻感應(yīng)加熱，同時有直接熱傳導(dǎo)和輻射加熱，提高了晶片溫度分布的均...
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