技術(shù)編號：3345280
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種多晶硅生產(chǎn)技術(shù)，特別是。 背景技術(shù)改良西門子法生產(chǎn)多晶硅中，還原爐內(nèi)通過氣相沉積制備棒狀多晶硅所用的多晶硅硅芯必須均相、潔凈無雜質(zhì)，而通過硅芯爐拉制得的硅芯表面有較多的硅顆粒、金屬氧化物及S^2等分散相及雜質(zhì)，必須通過腐蝕手段除去這些雜質(zhì)，以利于在還原爐內(nèi)生長多晶硅硅棒，傳統(tǒng)的方法是用濃硝酸和氫氟酸體積比3廣41的混合酸對其進行腐蝕處理。腐蝕處理在通風柜內(nèi)進行，腐蝕過程中產(chǎn)生的揮發(fā)成分含有HF，NOx等有害氣體，同時產(chǎn)生含 HNO3, HF,...
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