技術(shù)編號：3345818
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種銦離子產(chǎn)生裝置及使用該銦離子產(chǎn)生裝置的銦離子產(chǎn)生方法，尤其涉及使用固態(tài)含銦化合物加熱產(chǎn)生銦離子的。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，向半導(dǎo)體元件內(nèi)注入離子化的銦已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在各種半導(dǎo)體器件工藝中。目前的工藝中，注入離子化的銦時使用的銦源是固體源，如InCl3。使用坩堝來加熱InCl3使其升華變成氣體后在電弧室電離形成正價銦離子。而在半導(dǎo)體器件工藝中，其他元素(如As、P、B、BF)的離子注入使用的都是氣體源，可以直接電離產(chǎn)生正離子。 現(xiàn)有技...
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