技術編號：3347843
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造近似組成為NbO的低氧化鈮的方法，該低氧化鈮特別適合于固體電解質電容器陽極的生產(chǎn)。背景技術固體電解質電容器具有非常大的有效電容器表面積，因而具有較 小的整體結構，適合用于移動通信電子器件，其主要是具有應用于相 應導電基底上的鈮或鉭的五氧化物阻擋層的電容器，并且其利用了這 些化合物("閥金屬“)的穩(wěn)定性、相對高的介電常數(shù)以及通過電化 學方法可以制造出層厚非常均勻的絕緣五氧化物層的事實。所用的基 底是金屬或相應五氧化物的導電的低氧化物(低氧化...
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