技術(shù)編號：3351182
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。'.本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路芯片工藝，具體為對硅襯底進(jìn)行刻 蝕的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體功率器件被廣泛應(yīng)用于消費電子、計算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，可以用做電壓控制器件，其具有以下特點輸 入阻抗高、驅(qū)動功率低、漏極電流負(fù)溫度系數(shù)、無二次擊穿、工作范圍寬以 及熱穩(wěn)定性好。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metallic oxide semiconductor field e會ecttransistor， Trench MOSFET)是半導(dǎo)體...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。