技術(shù)編號(hào)：3357462
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及到一種磁控濺射真空鍍膜機(jī)設(shè)備，特別是一種新型磁場(chǎng)旋轉(zhuǎn)外圓柱靶。背景技術(shù)在一定條件下，在靶(陰板)上施加一個(gè)負(fù)高壓，形成氬氣氣體的輝光放電，荷能離子轟擊靶表面，將靶材表面的原子、分子飛濺射出來，遷移到放置在靶對(duì)面或圓周的被鍍工件上，這就是普通的真空濺射鍍膜。所謂磁控濺射，就是除在靶上施加一個(gè)電場(chǎng)外(電力線垂直于靶表面)，再造一個(gè)磁場(chǎng)，要求平行于靶表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度分量在30-50毫特斯拉(mT)，在這種條件下形成的輝光放電，被磁場(chǎng)約束在靠近靶面的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。