技術(shù)編號：3360525
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對成為金屬的被精制材料(由金屬形成的母材)照射電子束進(jìn)行凝 固精制的，特別是涉及對適合用作太陽能電池材料的鐵0 )、鋁(Al)或鈣 (Ca)的含量少的高純度硅(Si)進(jìn)行凝固精制的。本申請基于2008年08月01日在日本申請的日本特愿2008-199846號主張優(yōu)先 權(quán)，在此引用其內(nèi)容。背景技術(shù)作為硅等金屬或半導(dǎo)體的凝固精制法之一，已知使用電子束熔解法的凝固精制 法。該方法例如如非專利文獻(xiàn)1所述，連續(xù)地在水冷銅爐床上從被精制材料蒸發(fā)冶煉磷(P) ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。