技術(shù)編號：3360828
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體制造中的化學(xué)機械拋光(CMP)。更具體地，本發(fā)明涉及對銅-氧化物大馬士革結(jié)構(gòu)的CMP，以提高材料的去除速率，并減小銅的凹陷(dishing)和氧化物的過拋(overpolishing)。背景技術(shù) 半導(dǎo)體裝置的甚大規(guī)模集成(ULSI)方面的不斷進展，要求設(shè)計和制造非常微小的裝置?，F(xiàn)有技術(shù)中用于互連(interconnect)的金屬化圖案技術(shù)不足以應(yīng)對新型的集成電路(IC)。據(jù)計算，對于門電路尺寸小于0.25μm的CMOS電路，由金屬化層...
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