技術(shù)編號：3370146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種槽式多晶硅濕法制絨設(shè)備，進(jìn)一步是指半導(dǎo)體晶體硅及太陽 能電池制造中的多晶硅槽式濕法制絨處理設(shè)備。背景技術(shù)在半導(dǎo)體硅和太陽能電池制造中，槽式濕法制絨工藝是對晶體硅片表面進(jìn)行濕法 蝕刻，形成微溝、絨面，降低硅片表面的反射率，從而使太陽光在硅片表面進(jìn)行多次反射，以 提高光的利用率。在太陽能晶體硅電池的制備工藝中，槽式濕法制絨工藝是關(guān)系到硅太陽 能電池表面光吸收的重要部分，也是提高太陽能轉(zhuǎn)化效率的重要途徑之一?，F(xiàn)在市場上超過一半的多晶制絨設(shè)備都是...
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