技術(shù)編號(hào)：3373758
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于一種半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)，具體地說涉及一種磷化銦單晶片的拋光工藝。典型的磷化銦基光電子器件包括激光器、探測(cè)器、波導(dǎo)器材和抗輻射太陽能電池等；微電子器件包括高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)、毫米波和微波電路及高速數(shù)字集成電路等。隨著磷化銦晶體材料的廣泛應(yīng)用及器件微型化的發(fā)展趨勢(shì)，人們對(duì)晶片的表面質(zhì)量提出了更高的要求。硅(Si)和砷化鎵晶片的拋光工藝已經(jīng)得到了較好解決，但同樣的工藝卻不能應(yīng)用于磷化銦晶片的拋光，這是因?yàn)榱谆煵?..
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。