技術編號：3374630
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及原子層沉積設備，具體涉及。背景技術原子層沉積(ALD)技術從化學氣相沉積(CVD)沉積方法演變而來。而由于其獨特的沉積方式(單原子逐層沉積)使得制備的薄膜在均一性、粗糙度等性能方面有了很大的改進，除生長速率低于CVD和物理氣相沉積(PVD)方法外，其它性能都遠遠優(yōu)于它們。ALD 取代CVD和PVD是一種發(fā)展趨勢。低溫生長是ALD的一個顯著特點，這一特點能大大減少能量和前軀體的消耗。到目前為止，ALD生長技術仍有很大的可改進性，因為并不是所有的CV...
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