技術(shù)編號(hào):3376134
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是,屬于半導(dǎo)體薄膜材料制備工藝,該薄膜是一種對(duì)中紅外波段響應(yīng)的光電薄膜。背景技術(shù)硒化鉛材料是一種重要的窄帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度窄(Eg = 0.278eV)、量子效率高、良好的光電效應(yīng)、噪聲低、對(duì)外界條件的影響反應(yīng)比較靈敏等優(yōu)點(diǎn),在紅外探測(cè)器、紅外二維成像顯示器、光電阻器、光發(fā)射器等器件上有著廣泛的應(yīng)用。早在20世紀(jì)30年代,屬于同類IV-VI族半導(dǎo)體的PbS是由德國(guó)人用于紅外光導(dǎo)探測(cè)器,目前美國(guó)的導(dǎo)彈預(yù)警系統(tǒng)就采用鉛鹽類的紅外敏感元件,而法國(guó)的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。