技術(shù)編號(hào)：3376454
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種。 背景技術(shù)真空濺鍍是由電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，其中，電子飛向基片，氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶，所述靶是由靶材和支撐靶材的背板組成，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子) 沉積在基片上成膜，而最終達(dá)到對(duì)基片表面鍍膜的目的。大規(guī)模集成電路經(jīng)常使用鎢靶材進(jìn)行真空濺鍍，尤其需要使用大尺寸的鎢靶材， 目前的半導(dǎo)體領(lǐng)域中，大尺寸的鎢靶材的直徑為300mm 4...
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