技術(shù)編號：3378921
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體集成工藝設(shè)備，尤其涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體元件特征的尺寸逐漸縮小至深次微米的范圍，為了確保元件的可靠度，在制作集成電路或其他電子裝置時(shí)，提供極度平坦的晶片表面或基底表面是十分重要的。在半導(dǎo)體工藝中，化學(xué)機(jī)械研磨法(Chemical Mechanical Polishing, CMP，化學(xué)機(jī)械拋光法)是現(xiàn)今較常使用的全面性平坦化的技術(shù)。一般而言，在化學(xué)機(jī)械拋光的過程中，是在供應(yīng)含有化學(xué)助劑(Reagent)與研磨...
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