技術(shù)編號(hào):3392245
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用MT(介質(zhì)溫度)CVD工藝來(lái)涂覆基體的方法。背景技術(shù) 化學(xué)汽相沉積法用來(lái)把一層或者多層涂層施加到基體表面上。典型地,每個(gè)涂層的厚度大約為幾分之一微米到大約二十微米。在CVD中,含有形成涂層的原子的一種氣體或者多種氣體在基體表面上或者在非??拷w表面的地方在高溫下被還原或者被分解,因此所需成分的涂層沉積到基體上。這種沉積物可以是金屬、半導(dǎo)體、合金或者難熔化合物。MT CVD與CVD的不同點(diǎn)在于MT CVD所使用的反應(yīng)溫度明顯低于CVD所使用的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。