技術編號：3396721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造半導體器件的化學汽相淀積裝置、其驅動方法及優(yōu)化處理室的清洗工藝方案的方法，特別涉及在對半導體晶片的特殊處理后利用具有質譜儀的殘留氣體分析儀四極質譜儀(RGA-QMS)現(xiàn)場清洗處理室的方法。一般情況下，在具有已設定的某些處理條件的處理室中進行半導體器件的制造工藝。具體說，在對半導體晶片進行CVD(化學汽相淀積)工藝時，不僅在晶片上形成某層，而且會在處理室爐管的內壁上及在處理室和鎖定室間運載并貯存晶片的船上也形成(材料)層。由于這些層在裝載/...
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