技術編號：3402980
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。背景技術 在等離子處理設備中處理半導體結構，其中等離子處理設備包括等離子處理腔室、供應處理氣體到腔室中的氣體源、以及由處理氣體產生等離子體的能量源。半導體結構在這樣的設備中通過下列技術被處理，這些技術包括干法刻蝕處理、沉積處理、諸如化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積，或金屬、介電和半導體材料的等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、和光刻膠剝離處理。不同處理氣體用于這些處理技術，以及處理半導體結構的不同材料。發(fā)明內容本發(fā)明提供了一種可操作地向真空腔室、諸如...
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