技術(shù)編號(hào)：3403363
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及集成電路的制造。更具體地說(shuō)，本發(fā)明的實(shí)施例涉及對(duì)室的內(nèi)部進(jìn)行干燥(seasoning)處理并在經(jīng)干燥的室中的襯底上沉積含碳層的方法。背景技術(shù) 在集成電路和半導(dǎo)體器件的制造中，通常要在處理室中的襯底上沉積低k材料，所述低k材料例如碳化物(例如硅碳化物)、摻碳的氧化物(例如摻碳的硅氧化物)、以及摻碳的氮化物(例如摻碳的硅氮化物)，所述處理室例如沉積室，如化學(xué)氣相沉積(CVD)室。沉積處理通常會(huì)造成一些材料沉積在沉積室的壁和部件上。沉積在...
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