技術(shù)編號(hào):3404255
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電力電子器件的制作工藝方法,特別是指一種在電力電子器件硅片的表面進(jìn)行選擇性精密刻蝕加工方法。本發(fā)明還涉及一種上述方法的裝置。背景技術(shù) 在硅片表面進(jìn)行選擇性的精密刻蝕加工,是半導(dǎo)體器件中一種常用的工藝方法。電力電子器件硅片表面同樣需要進(jìn)行選擇性的精密刻蝕加工。精密刻蝕可分為使用腐蝕液的濕法刻蝕和采用原子游離、分子游離基以及離子等的干法刻蝕?,F(xiàn)在的干法刻蝕又可進(jìn)一步分為三大類1、等離子刻蝕利用原子游離基加工,腐蝕呈各向同性,設(shè)備為同軸型結(jié)構(gòu)。2、...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。