技術編號：3404601
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于形成Si3N4和SiO2薄膜的方法，采用的是原子層沉積法，該方法使用三(二甲基氨基)硅烷(trisdimethylaminosilane){HSi[N(CH3)2]3}(以下稱“TDMAS”)作為反應物。以CVD為基礎的方法常常具有缺陷，限制了其在制造因具有Si3N4薄膜而受益的半導體元件上的應用。典型的CVD法中，Si3N4薄膜在相對較高的溫度下沉積，由于可能對元件產生有害的熱效應，所以一般沒有低溫工藝好。用CVD法沉積的Si3N4層也易受幾...
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