技術(shù)編號：3410388
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體晶片材料的化學(xué)機械平面化(CMP)，更具體來說，本發(fā)明涉及以對層間介電材料高選擇性用于對例如氮化硅和各種互連層、以及半導(dǎo)體集成電路制造中所用的薄膜進行拋光的CMP組合物和方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體晶片通常包括在其上形成了大量電子器件的基片，例如硅晶片或砷化鎵晶片。晶體管和電容器之類的電子器件通過基片中形成圖案的區(qū)域和基片上各層而與基片化學(xué)連接以及物理連接。這些器件和層被層間電介質(zhì)(interleveldielectrics)(ILD)分隔，所...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。