技術(shù)編號：3410693
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于與制造裝置如用于數(shù)據(jù)存儲驅(qū)動器的薄膜磁頭有關(guān)的各個步驟中作為鍍覆種子(plating seed)的共形釕(conformal ruthenium)的低溫沉積。背景技術(shù)最近，已引入垂直磁記錄(PMR)以保持消費者、行業(yè)以及企業(yè)應(yīng)用日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求所要求的硬盤驅(qū)動器(HDD)區(qū)域記錄密度的40%的增長率。PMR的引入已要求對薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)的若干變化如梯形寫入極以及包封所述寫入極的前/尾/側(cè)屏蔽件。梯形寫入極對于寫入極相對于介質(zhì)上的磁道的偏度...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。