技術(shù)編號(hào)：3412451
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與晶圓的結(jié)合技術(shù)有關(guān)，特別是指一種可以有效減少材料浪費(fèi)，并相對(duì)降低加工成本晶圓接合的晶粒制程方法。背景技術(shù)按，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍用以形成半導(dǎo)體晶圓的方法，在藍(lán)寶石(sapphire)或碳化硅(SiC)基板或砷化鎵(GaAs)基板上形磊晶疊層；通常藍(lán)寶石基板的主要缺點(diǎn)在于其熱傳導(dǎo)率較差，且形成于藍(lán)寶石基板上的組件的總功率輸出會(huì)受到該基板的熱耗散的限制，同時(shí)藍(lán)寶石基板亦難于蝕刻。至于，碳化娃基板具有較高的熱傳導(dǎo)率(3.5-4 w/cmk),但是其缺點(diǎn)為昂貴且...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。