技術(shù)編號(hào):3423141
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一種區(qū)熔定向凝固法制備磁驅(qū)動(dòng)記憶合金單晶,屬于新工藝技術(shù)。背景技術(shù)鎳錳鎵(NiMnGa)磁驅(qū)動(dòng)合金的馬氏體相變溫度對(duì)合金成分非常敏感,并且,隨合金成分變化,馬氏體出現(xiàn)5層、7層和無(wú)調(diào)制等多種結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)在制備NiMnGa磁驅(qū)動(dòng)記憶合金單晶主要是用Bridgman法和提拉法。由于NiMnGa合金中Mn元素的蒸汽壓高,Ga元素熔點(diǎn)低,在上述工藝制備NiMnGa合金時(shí),Mn和Ga元素?fù)]發(fā),很難得到沿軸向成分均勻的NiMnGa合金單晶,導(dǎo)致沿單晶軸向馬氏體相變溫...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。