技術(shù)編號：3426855
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子學(xué)納米材料與非易失性存儲器領(lǐng)域，涉及一種快速模擬出相變材料的 方法及新型相變材料。背景技術(shù)相變存儲器(Phase Change Memory, PCM)作為最具潛力的下一代非易失性存儲器，在近十 幾年日益成為研究的熱點(Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 803)。相變存儲器的核心是相變材料，相變材料必須具備的主要特性包括納秒級的高速相變、非晶態(tài)具有長期的高溫穩(wěn)定性、晶態(tài)與非晶態(tài)之間...
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