技術(shù)編號(hào)：3427914
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)，尤其涉及一種采用等離子體增強(qiáng) 化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備碳化硅薄膜的方法。背景技術(shù)21世紀(jì)以來，以硅為基本材料的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)已有長足發(fā)展，隨著MEMS 應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，硅材料本身的性能局限性制約了硅基MEMS在高溫、高頻、強(qiáng)輻射及 化學(xué)腐蝕等極端條件下的應(yīng)用。因此，尋找硅的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半 導(dǎo)體材料中，碳化硅在機(jī)械強(qiáng)度、熱學(xué)性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優(yōu)勢，且與 IC...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。