技術(shù)編號：3431068
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及新的復(fù)合材料以及制備復(fù)合材料的新方法。具體而言，本發(fā)明涉及含有硅和磷的新復(fù)合材料，以及用于組合硅和磷的新方法。一般而言，在硅中引入雜質(zhì)原子是硅集成電路制備工藝的重要部分。將摻雜劑引入硅的最常用方法是(a)雜質(zhì)從和硅在空間上分開的源擴(kuò)散到所述硅中，(b)從在硅表面上形成的氧化物層擴(kuò)散，和(c)硅的離子注入，隨后進(jìn)行擴(kuò)散和退火。磷通常用作形成半導(dǎo)體結(jié)的摻雜劑。為了使磷從POCl3源擴(kuò)散到硅中，通常需要擴(kuò)散溫度為890℃-1050℃。從PBr3和其它源...
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