技術(shù)編號：3432887
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 碳化硅作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，擁有極為優(yōu)異的機(jī)械性能、熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性能、很高的熱導(dǎo)率以及很大的帶寬，被廣泛用于高溫、高頻、高功率等惡劣的環(huán)境下。與大塊的碳化硅單晶相比，碳化硅納米棒擁有更出色的電學(xué)和力學(xué)性能。一維納米碳化硅可作為增韌劑而用于制造復(fù)合材料。此外取向排列的碳化硅納米棒(納米線)還擁有場發(fā)射效應(yīng)，光致發(fā)光效應(yīng)等。哈佛大學(xué)的Lieber研究小組利用碳納米管和SiO或SiI2之間反應(yīng)首次制備一維納米碳化硅棒。此后，人們通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。