技術編號：3433164
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種納米一氧化鈷，尤其是涉及一種通過離子液體實現(xiàn)納米一氧化鈷晶面可控生長的方法。背景技術 各向異性是單晶的基本性質(zhì)之一，由于矢量(如熱導率、磁導率和光折射率等)和張量(如介電系數(shù)、彈性系數(shù)和擴散系數(shù)等)性質(zhì)完全取決于在晶體中的方向，因此，在晶體的不同晶面或方向上會表現(xiàn)出不同的物理和化學性質(zhì)。因而隨著工業(yè)的高速發(fā)展對電子器件和光子器件微型化要求的提高，以及納米材料與結(jié)構(gòu)研究的迅速展開和深入，進行有針對性的表面結(jié)構(gòu)可控的納米材料設計和研制的重要性日益...
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