技術(shù)編號(hào)：3433629
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。進(jìn)一 步詳細(xì)地說涉及在由三氯硅烷制 造半導(dǎo)體級(jí)硅時(shí)的氯硅烷循環(huán)體系中，通過由三氯硅烷的一部分制造 太陽能電池級(jí)硅，從循環(huán)體系放出氯硅烷循環(huán)體系中存在的污染物質(zhì)， 由此連續(xù)制造高純度的半導(dǎo)體級(jí)硅的。背景技術(shù)利用化學(xué)蒸鍍法(CVD法)的半導(dǎo)體硅的制造在技術(shù)上已經(jīng)是已 知的。在分子中含有氫以及氯的含硅物質(zhì)的歧化反應(yīng)的化學(xué)在技術(shù)上已 經(jīng)是已知的。固體催化劑或者在固體載體上使用催化劑的技術(shù)也是已 知的。美國專利第3, 147， 071號(hào)說明書公開了作為催...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。