技術編號：3453317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，以高分子薄膜為主要原料，通過等離子處理活化薄膜表面基團，然后分段升溫并同時控制氣氛和壓力等因素，制備出主要成分為碳元素的結晶性碳泡沫膜，再通過輥壓或層壓工藝，得到表面柔軟光滑、厚度均勻的高導熱石墨膜。應用本發(fā)明方法制備的石墨膜厚度均勻，導熱系數(shù)高。專利說明[0001]本發(fā)明具體涉及。背景技術[0002]隨著半導體技術的快速發(fā)展，以及數(shù)碼產(chǎn)品(如手機、平板電腦等)對便攜性能的要求越來越高，這使得相關廠家迫切需要提高電子產(chǎn)品內(nèi)部空間的利用率，但是，...
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