技術(shù)編號：3464845
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及多晶硅塊的制造技術(shù)，更詳細(xì)而言，特別是涉及制造適合作為利用多段拉晶法的單晶硅的生成用原料的高純度多晶硅塊的技術(shù)。背景技術(shù)作為硅單晶襯底的原料的多晶硅的制造方法，已知有西門子法。西門子法是通過使含有氯硅烷的原料氣體與加熱后的硅芯線接觸、利用CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相沉積)法使多晶硅在該硅芯線的表面上氣相生長的方法。通常的利用西門子法的多晶硅的制造例如通過如下工序進(jìn)行。首先，在氣相生長裝置的反應(yīng)爐內(nèi)，將2根...
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