技術(shù)編號:3474390
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了,該器件包括N型半導(dǎo)體襯底、第一P阱和P阱層,該觸發(fā)器件的四周邊緣處設(shè)有SiO2絕緣層,該觸發(fā)器件的上表面和下表面的中間設(shè)有金屬層,金屬層上分別設(shè)有金屬電極T1和T2,N型半導(dǎo)體襯底的上下兩端分別設(shè)有P型層,P型層的一端設(shè)有第一P阱,P型層中還設(shè)有N阱,N阱的一端設(shè)有第二P阱,N型半導(dǎo)體襯底的四周設(shè)置多層復(fù)合薄膜,多層復(fù)合薄膜外側(cè)設(shè)有玻璃鈍化層。有益效果新型高壓雙向觸發(fā)器件具有雙向?qū)ΨQ的負阻特性以及高溫工作的穩(wěn)定性,且轉(zhuǎn)換電阻較高,維持電壓較低...
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