技術編號：3483720
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，所述利奈唑胺Ⅳ晶型的特征在于其X射線粉末衍射圖在2θ7.33,9.33,13.45,14.70，17.97,20.94,22.17,25.41(°)處具有特征衍射峰。本發(fā)明公開了其制備方法，采用了水或者低沸點的有機溶劑溶解，加熱回流后加入晶種自然降溫析晶，解決了利奈唑胺Ⅳ晶型生產過程中存在的溶劑殘留、工藝復雜、成本高等問題的技術缺陷。本發(fā)明提供的生產工藝操作簡單，成本低廉，非常適合工業(yè)化生產。專利說明制備利奈唑胺IV晶型的方法 [00...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。