技術(shù)編號：3581853
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)領(lǐng)域中金屬有機(jī)配合物的合成方法。二背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造業(yè)的不斷發(fā)展，通過不斷的比較材料特性，尋找適合ALD和CVD使用的高k和金屬柵材料前驅(qū)物。對于32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)來講，材料的揮發(fā)性，輸運(yùn)方式以及純度等問題變得至關(guān)重要。隨著信息存儲和獲取量的大幅提升，對于更高k值材料的需求也不斷升溫，這些材料遍布從氧化鋁到稀有金屬中任何可用的元素。 研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)柵氧厚度小于2nm時(shí)，漏電流將大幅提高，高介電常數(shù)材料由于可以允許更厚的柵介電材料，從而降低漏電流...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。