技術(shù)編號(hào)：3619970
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及層壓結(jié)構(gòu)體。 背景技術(shù)為了提高含有層壓結(jié)構(gòu)體的電致發(fā)光元件或光電轉(zhuǎn)換元件的特性，對(duì)在電致 發(fā)光元件的發(fā)光層與電極之間或光電轉(zhuǎn)換元件的電荷分離層與電極之間插入各種層進(jìn) 行了研究。例如已知在發(fā)光層與電極之間具有包含非共軛高分子化合物的層的電致發(fā) 光元件，所述非共軛高分子化合物含有具有陽離子和2個(gè)雜原子的取代基(日本特表 2003-530676 號(hào)公報(bào))。發(fā)明內(nèi)容但是，上述電致發(fā)光元件的亮度還不充分。本發(fā)明的目的在于，提供可以提供以高亮度發(fā)光的電致發(fā)光...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。