技術(shù)編號：37112975
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)一種累加電路。背景技術(shù)、在存儲器中，會因?yàn)樵谥圃爝^程中的各種不理想因素而產(chǎn)生不佳存儲器位元，因此最初設(shè)計(jì)存儲器時(shí)，會利用內(nèi)部的部分空間設(shè)置多余存儲器位元，當(dāng)存儲器經(jīng)由測試發(fā)現(xiàn)具有不佳存儲器位元時(shí)，可以使用多余存儲器位元取代這些不佳存儲器位元，以發(fā)揮修復(fù)效能，提升存儲器的制造良率。傳統(tǒng)的修復(fù)存儲器方式是在設(shè)計(jì)時(shí)加入多余列(rowredundancy)或多余行(column?redundancy)的輔助電路，以在發(fā)現(xiàn)存儲器中具有不佳存儲器位元時(shí)，可以取代包含該不佳存儲器位元的行或列。、...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。