技術(shù)編號：3734803
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體裝置制造過程中使用的銅膜進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械 拋光漿料組合物。背景技術(shù)近年來，半導(dǎo)體裝置的制造過程中，晶片的尺寸不斷增加，目前其直度已達(dá)到300mm，同時(shí)，由于高功能半導(dǎo)體裝置的高度整合，金屬配線層 的數(shù)量也在增加，因此，由于剛性DOF (聚焦深度)和精密設(shè)計(jì)規(guī)則的應(yīng) 用，目前對平面化技術(shù)的依賴不斷增大。ILD (內(nèi)層電介質(zhì))和PMD (金 屬沉積前電介質(zhì))層的整體平面化已成為基本的方法。此外，為了解決由于裝置上的精細(xì)配線圖案而造成配線電阻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。